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J-GLOBAL ID：201702241369200748   整理番号：17A1181741

垂直配向二重ヘテロ接合GaAsベースpHEMTと熱影響デバイスパラメータの三次元多層モノリシック集積【Powered by NICT】

3-D multilayer monolithic integration of vertical-oriented double-heterojunction GaAs based pHEMT and thermal influence on device parameters

著者 (2件)： Alim Mohammad A. (Applied Physics, Electronic and Communication Engineering, University of Chittagong, Bangladesh) ,  Rezazadeh Ali A. (Microwave and Communication Systems Research Group, The University of Manchester, M13 9PL, UK)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 132  ページ： 24-30  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,垂直配向した二重ヘテロ接合AlGaAs/InGaAs/GaAs系仮像高電子移動度トランジスタの3次元多層モノリシック集積に焦点を当てた。活性層上の3次元成分の存在の影響を三次元成分例えば,両金属とポリイミド層の厚さを変化させた異なる厚さの三多層作製した素子を比較したバージン装置により達成された。出力電流,オン状態ゲート漏れ,相互コンダクタンスは三次元成分の厚さの増加と共に減少することが分かった,一方,オン状態抵抗,ニー電圧とオフ状態ゲート漏れ電流は増加した。最後に,オフ状態とオン状態ゲート漏れのようなデバイス挙動,Schottky接触における障壁の不均一性,伝達曲線で零温度係数,ドレインバイアスの関数としてのしきい値電圧に及ぼす熱影響を前と後の両方で作製した多層デバイスのための測定し解析した。両方の素子の厚さと温度の点でこれらの有効比較多層垂直積層3次元MMICの将来の設計と最適化に有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *ヒ化ガリウム ,  最適化 ,  *HEMT ,  *熱影響 ,  温度係数 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *三次元 ,  相互コンダクタンス ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *多層 ,  MMIC ,  電圧
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  オン状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaAs/InGaAs/GaAs系pHEMT ,  三次元MMIC ,  多層製作 ,  キャラクタリゼーション ,  熱影響

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 垂直配向 ,  二重ヘテロ接合 ,  GaAs ,  PHEMT ,  熱影響 ,  パラメータ ,  多層 ,  モノリシック集積