Ai Meilin について
Laboratory of Optoelectronics Materials and Devices, School of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China について
Guo Daoyou について
Laboratory of Optoelectronics Materials and Devices, School of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China について
Qu Yingyu について
Laboratory of Optoelectronics Materials and Devices, School of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China について
Cui Wei について
Laboratory of Optoelectronics Materials and Devices, School of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China について
Wu Zhenping について
Laboratory of Optoelectronics Materials and Devices, School of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China について
Li Peigang について
Laboratory of Optoelectronics Materials and Devices, School of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China について
Li Linghong について
Department of Physics, The State University of New York at Potsdam, Potsdam, New York 13676-2294, USA について
Tang Weihua について
Laboratory of Optoelectronics Materials and Devices, School of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China について
Journal of Alloys and Compounds について
Schottky障壁 について
紫外線 について
減衰時間 について
MBE成長 について
グラフェン について
検出器 について
応答特性 について
光検出器 について
複合構造 について
高速度 について
バイアス について
整流 について
紫外検出器 について
光電子デバイス について
高速応答 について
Ga_2O_3 について
グラフェン について
紫外光検出器 について
レーザ分子ビームエピタクシー法 について
炭素とその化合物 について
光化学一般 について
グラフェン について
ハイブリッド構造 について
高速応答 について
紫外検出器 について