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J-GLOBAL ID：201702241418714297   整理番号：17A1139278

Si基板上へのPbS系ショートキャビティ中赤外レーザの作製と発光特性評価

著者 (6件)： 石田明広 (静岡大 工) ,  橋口慎太郎 (静岡大 工) ,  山岸寿来 (静岡大 工) ,  秋川弘樹 (静岡大 工) ,  青藤唯 (静岡大 工) ,  中嶋聖介 (静岡大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6a-C14-4  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： レーザ共振器 ,  *赤外レーザ ,  キャラクタリゼーション ,  ウエハ【IC】 ,  *硫化鉛 ,  *半導体レーザ ,  ケイ素 ,  発光 ,  レーザ発振 ,  レーザ出力 ,  中赤外レーザ ,  発光特性 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： PbS ,  Si基板

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si基板 ,  PbS ,  ショート ,  キャビティ ,  中赤外レーザ ,  作製 ,  発光特性 ,  評価