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J-GLOBAL ID：201702241462651763   整理番号：17A0470407

単一への多重アスペリティゼロからの単結晶シリコンのトライボロジー挙動【Powered by NICT】

Tribological behavior of monocrystalline silicon from single- to multiple-asperity scratch

著者 (4件)： Yu Bingjun (Tribology Research Institute, National Traction Power Laboratory, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, Sichuan Province, PR China) ,  He Hongtu (Key Laboratory of Testing Technology for Manufacturing Process (Ministry of Education), Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621010, PR China) ,  Chen Lei (Tribology Research Institute, National Traction Power Laboratory, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, Sichuan Province, PR China) ,  Qian Linmao (Tribology Research Institute, National Traction Power Laboratory, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, Sichuan Province, PR China)
資料名： Wear  (Wear)
巻： 374-375  ページ： 29-35  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0377A  ISSN： 0043-1648  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン表面を生成し,シリコンデバイスを作製する中,ナノスケールからマクロスケールへの加工,切削とミリングは単一及び多重アスペリティ接触下の摩擦と摩耗を達成した。本研究では,単一及び多重アスペリティ接触下でのシリコン表面上の引かき試験が対照的に検討し,異なる接触モード間の遷移と相関を調べた。表面摩耗(溝または凸形ヒロックの形成)はシリコン上の単一アスペリティ滑り下で出現すると,摩擦力は荷重制御となり,垂直負荷に伴って直線的に増加した。単一アスペリティ多重アスペリティ引かきへの遷移は,適用した垂直力の増加と共に観察された。多重アスペリティ条件下で,表面ヒロックは,引っ掻かれた領域,単一アスペリティ試験下でのみ検出された上に作製した。本研究では,シリコン表面のマルチスケール処理の理解に新たな光を当てた,そして結果として,トライボロジー理論を濃縮するための新しい洞察を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 引かき試験 ,  *トライボロジー ,  摩擦力 ,  摩耗 ,  *ケイ素 ,  *アスペリティ ,  多重化 ,  凸形
準シソーラス用語： マルチスケール ,  垂直力 ,  ヒロック ,  マクロスケール ,  ナノスケール ,  トライボロジー挙動 ,  *単結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： トライボロジー ,  単一アスペリティ ,  多重アスペリティ ,  引かき ,  シリコン

分類 (3件)： 潤滑一般  (QB02010S) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多重 ,  アスペリティ ,  単結晶シリコン ,  トライボロジー挙動