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J-GLOBAL ID：201702241468894106   整理番号：17A1943190

光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用

Low-damage etching of nitride semiconductors utilizing photo-electrochemical reactions for electron devices

著者 (6件)： 植村圭佑 (北大 大学院情報科学研究科) ,  松本悟 (北大 大学院情報科学研究科) ,  渡久地政周 (北大 大学院情報科学研究科) ,  伊藤圭亮 (北大 大学院情報科学研究科) ,  佐藤威友 (北大 大学院情報科学研究科) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 331(ED2017 49-71)  ページ： 23-26  発行年： 2017年11月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化物半導体に対して,光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した。GaNと電解液界面の光電気化学反応を制御することにより,パターニングしたSiO₂保護膜の窓開け部分にのみGaN表面が選択酸化された。自己酸化膜(GaO_x)はアルカリ処理により容易に除去され,従来のドライエッチング表面と比べて加工損傷の抑制されたエッチング表面が得られた。この低損傷エッチングプロセスは,AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のリセスゲート加工に有用であることを示した。開発したナノスケール精度を有するエッチングにより,HEMTのしきい値電圧が精密に制御されることを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *ウェットエッチング ,  *光電気化学反応 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  加工欠陥 ,  *酸化 ,  *エッチング ,  *素子構造 ,  アルミニウム化合物 ,  HEMT
準シソーラス用語： 窒化物半導体 ,  *GaN ,  *リセス構造 ,  AlGaN/GaN

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電気化学反応  (CB07050F)

引用文献 (13件)：

• R. Chu, A. Corrion, M. Chen, R. Li, D. Wong, D. Zehnder, B. Hughes, and K. Boutros, “1200-V Normally Off GaN-on-Si Field-Effect Transistors With Low Dynamic ON-Resistance”, IEEE Electron Device Lett., vol. 32, no. 5, pp. 632-634, May 2011.
• M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda, “AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor technology for high-voltage and low-on-resistance operation”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 55, no. 7, pp. 070101, June 2016.
• Y. Uemoto, M. Hikita, H. Ueno, H. Matsuo, H. Ishida, M. Yanagihara, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, “Gate Injection Transistor (GIT)-A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 12, pp. 3393-3399, December 2007.
• S. Huang, X. Liu, J. Zhang, K. Wei, G. Liu, X. Wang, Y. Zheng, H. Liu, Z. Jin, C. Zhao, C. Liu, S. Liu, S. Yang, J. Zhang, Y. Hao, and K. J. Chen, “High RF Performance Enhancement-Mode Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated With High-Temperature Gate-Recess Technique”, IEEE Electron Device Lett., vol. 36, no. 8, pp. 754-756, August 2015.
• T. Kachi, “Recent progress of GaN power devices for automotive applications”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 53, no. 10, pp. 100210, September 2014.

タイトルに関連する用語 (6件)： 光電気化学反応 ,  窒化物半導体 ,  損傷 ,  エッチング ,  電子デバイス ,  応用