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J-GLOBAL ID：201702241541739135   整理番号：17A0939187

溶液処理Zn-Sn-O薄膜トランジスタの電気的特性を増強する劇的ににおける酸素の役割【Powered by NICT】

The role of oxygen in dramatically enhancing the electrical properties of solution-processed Zn-Sn-O thin-film transistors

著者 (7件)： Cho Soyeon (Realistic Display Research Group, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon, 34129, Korea. [e-mail]) ,  Yang Jong-Heon ,  Oh Jong Gyu ,  Cho Sung-Haeng ,  Hwang Chi-Sun ,  Jang Jaeyoung ,  Nam Sooji
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 26  ページ： 6521-6526  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理した金属酸化物半導体における金属-酸化物-金属(M O M)結合の形成の機構を用いて,前駆体の種類に依存して変動する可能性がある。現在まで,金属アルコキシドまたは金属塩化物前駆体は,主に研究されてきた;,酸化物薄膜トランジスタ(TFT)のデバイス特性を改善する努力は,これらのタイプの前駆体に限られていた。一方,新しいタイプの前駆体を用いて作製した酸化物TFTの実験条件(例えば厚さとアニーリング雰囲気)を最適化するための系統的研究はほとんど報告されていない。本研究では,スズ(ii)2-エチルヘキサノアート,金属-カルボキシラート前駆体を用い,酸化膜厚と熱アニーリング条件を最適化することによる高性能溶液処理Zn Sn O TFTを実証することに成功した。Zn-Sn-Oの最適厚さを決定するために,ZnOとSnO_2の厚さの組み合わせを変えた3タイプの活性層を調製した。添加では,アニーリング過程において酸素ガスはM-O-M結合の形成を最大化し,厚さ最適化活性層中のトラップサイトの数を減少させ,劇的に強化された素子性能をもたらすことを見出した。その結果,スズ(ii)2-エチルヘキサノアートに基づいて最適化Zn-Sn-O TFTsは22cm~2V~ 1s~ 1を超える優れた移動度,同じ前駆体に基づく以前に報告されたZn-Sn-O TFTのそれよりも高く,従来の溶液処理金属酸化物TFTから得られた移動度レベルに非常に匹敵する大きさの順を示した。は筆者らのアプローチがスズ前駆体の現在の族を充実し,資源に優しく,低コスト,高性能Zn-Sn-O半導体のための新たな選択を提供するであろうと信じている。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸素 ,  前駆体 ,  *薄膜トランジスタ ,  移動度 ,  焼なまし ,  アルコラート ,  *スズ ,  最適化 ,  半導体 ,  酸化亜鉛 ,  *電気的性質 ,  酸化 ,  活性層
準シソーラス用語： 熱アニーリング ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 溶液処理 ,  Zn ,  Sn ,  薄膜トランジスタ ,  電気的特性 ,  増強 ,  酸素 ,  役割