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J-GLOBAL ID：201702241601928290   整理番号：17A1650057

強いTHz場に駆動された半導体中の不純物状態の非線形分光法【Powered by NICT】

Nonlinear spectroscopy of impurity states in semiconductors driven by intense THz fields

著者 (3件)： Meng Fanqi (Physikalisches Institut, Goethe-University Frankfurt, D-60438 Frankfurt am Main, Germany) ,  Thomson Mark D. (Physikalisches Institut, Goethe-University Frankfurt, D-60438 Frankfurt am Main, Germany) ,  Roskos Hartmut G. (Physikalisches Institut, Goethe-University Frankfurt, D-60438 Frankfurt am Main, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRMMW-THz  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体強いTHz場によるコヒーレント励起におけるアクセプタ不純物の非線形応答の実験的研究を提示した。ZnをドープしたGaAsでは,励起状態と価電子帯への不純物基底状態からの遷移の明確な飽和を観測した。BドープSiでは,しかしながら,不純物エネルギー状態の電場誘起歪の明確な指標である:高Bドープ試料における,ホウ素-炭素pairs(ホウ素X中心)に起因する吸収バンドは強い磁場誘起広がりと分裂を出現し,示した。同様の効果は,より低いドーピング密度で置換ホウ素不純物状態で観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *半導体 ,  亜鉛 ,  ヒ化ガリウム ,  基底状態 ,  ホウ素 ,  励起 ,  吸収バンド ,  *不純物 ,  コヒーレンス ,  ケイ素 ,  *不純物準位 ,  ドーピング ,  励起状態 ,  アクセプタ ,  価電子バンド

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (2件)： 不純物状態 ,  非線形分光法