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J-GLOBAL ID:201702241621742685   整理番号:17A1712703

Si(111)基板上のInGaN/GaN単一量子井戸ナノコラム結晶からの効率的な広い色ルミネセンス【Powered by NICT】

Efficient broad color luminescence from InGaN/GaN single quantum-well nanocolumn crystals on Si (111) substrate
著者 (7件):
資料名:
巻: 72  ページ: 422-426  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0468A  ISSN: 0925-3467  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ナノコラムInGaN/GaN単一量子井戸結晶をバッファ層として窒化Gaドットを有するSi(111)基板上に堆積した。透過型電子顕微鏡像は,結晶の直径100 130nm,長さ約900nmを示した。立方晶及び六方晶GaNのナノスケール空間相分離が量子井戸層上に選択領域電子回折により観察された。量子井戸結晶のRamanスペクトルは,結晶は完全に緩和していることを証明した。450から750nmまでの室温光ルミネセンスと約420meVの半値全幅は青,緑,黄および赤色発光をカバーする広い色ルミネセンス,調整可能なオプトエレクトロニクスデバイスと多彩な発光ダイオードの作製に有用であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス 

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