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J-GLOBAL ID：201702241645093725   整理番号：17A1170813

ITO/SRO/Si pとITO/SRN/SRO/Sipをベースにした発光キャパシタからの狭いと強いUVエレクトロルミネセンスの研究【Powered by NICT】

Study of narrow and intense UV electroluminescence from ITO/SRO/Si-p and ITO/SRN/SRO/Si-p based light emitting capacitors

著者 (10件)： Cabanas-Tay S.A. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600, Apodaca, Nuevo Leon, Mexico) ,  Palacios-Huerta L. (INAOE, Electronics Department, Apartado 51, Puebla 72000, Mexico) ,  Aceves-Mijares M. (INAOE, Electronics Department, Apartado 51, Puebla 72000, Mexico) ,  Coyopol A. (CIDS-BUAP, Apdo. 1651, Puebla Pue 72000, Mexico) ,  Morales-Morales F. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600, Apodaca, Nuevo Leon, Mexico) ,  Perez-Garcia S.A. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600, Apodaca, Nuevo Leon, Mexico) ,  Licea-Jimenez L. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600, Apodaca, Nuevo Leon, Mexico) ,  Dominguez-Horna C. (Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM, CSIC), Bellaterra, 08103, Barcelona, Spain) ,  Monfil-Leyva K. (CIDS-BUAP, Apdo. 1651, Puebla Pue 72000, Mexico) ,  Morales-Sanchez A. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados S.C., Unidad Monterrey-PIIT, 66600, Apodaca, Nuevo Leon, Mexico)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 183  ページ： 334-340  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,複数の狭いと非常に強い紫外(UV)エレクトロルミネセンス(EL)バンドは,活性層としてシリコンリッチ酸化物(SRO)膜を用いて発光コンデンサ(LEC)で観察された。の他に,SRO(SRN/SRO二重層として)層の上部に薄いシリコンリッチ窒化物(SRN)膜の影響をも調べた。LECはゲートと基板電極としての酸化インジウムスズ(ITO)とアルミニウムを用いた簡単な金属-絶縁体-半導体(MIS)構造を用いて作製した。SROとSRN膜は,シリコンの41.85±1.1と46.96±1.1at%を含んでいた。両構造は高伝導状態(H CS)の抵抗スイッチング(RS)挙動を示した低伝導状態(LCS)に,強い紫外ELを強化した。RS挙動は活性層中の,おそらくITO接触の構造変化を生成した。LCSが達成された1回~250年,270年,285年,305年,325年,415および450nmに半値幅7±0.6nmの七狭いバンドが明瞭に観察された。これらのバンドは中性すず(252.39および286.33nm),中性インジウム(271.02と303.93と325.85nm),単一(444.82nm)と二重にイオン化したインジウム(403.07nm)のSRO(252と288.2および415nm)および特性放射内部の欠陥による発光の組合せに関連づけることができた。さらに,赤色ELはH CSで観察され,それはPLスペクトルに関与する同じ放射過程であることを示した。SRN/SRO二分子層はLECの活性層として用いられた時に,電荷輸送が改善された。SRN/SRO二分子層は両伝導状態で形成されるとき,~590nmでのELバンドを観測した。このバンドは以前に観測され,最小伝導帯からSRN膜におけるK°中心への遷移に起因していた。両伝導状態でのELの原因となる伝導機構も研究した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁体 ,  窒化物 ,  *発光 ,  二分子層 ,  半導体 ,  活性層 ,  酸化インジウムスズ ,  *コンデンサ ,  ケイ素 ,  アルミニウム ,  *エレクトロルミネセンス ,  伝導バンド
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  光ルミネセンススペクトル ,  抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： UVエレクトロルミネセンス ,  抵抗スイッチング ,  シリコンリッチ酸化物 ,  シリコンリッチ窒化物 ,  インジウムすず酸化物

分類 (2件)： 有機化合物・錯体の蛍光・りん光(分子)  (BH06062I) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (7件)： ITO ,  SrO ,  Si ,  SiP ,  キャパシタ ,  エレクトロルミネセンス ,  研究