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J-GLOBAL ID：201702241725494373   整理番号：17A1187376

GaSe-S単結晶の電子遷移,バンドギャップと光吸収に及ぼすSドーピングの影響【Powered by NICT】

Effects of S-doping on the electronic transition, band gap, and optical absorption of GaSe _- S single crystals

著者 (11件)： Sha Tingting (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (Ministry of Education), Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), East China Normal University, 500 Dongchuan Road, Shanghai, 200241, China) ,  Li Wenwu (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (Ministry of Education), Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), East China Normal University, 500 Dongchuan Road, Shanghai, 200241, China) ,  Chen Shiyou (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (Ministry of Education), Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), East China Normal University, 500 Dongchuan Road, Shanghai, 200241, China) ,  Jiang Kai (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (Ministry of Education), Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), East China Normal University, 500 Dongchuan Road, Shanghai, 200241, China) ,  Zhu Jiajun (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (Ministry of Education), Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), East China Normal University, 500 Dongchuan Road, Shanghai, 200241, China) ,  Hu Zhigao (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (Ministry of Education), Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), East China Normal University, 500 Dongchuan Road, Shanghai, 200241, China) ,  Huang Zhiming (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, 420 North Zhongshan Road, Shanghai, 200083, China) ,  Chu Junhao (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (Ministry of Education), Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), East China Normal University, 500 Dongchuan Road, Shanghai, 200241, China) ,  Kokh Konstantin A. (Laboratory of Crystal Growth, Institute of Geology and Mineralogy SB RAS, 3, Koptyuga Ave., 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Andreev Yury M. (Laboratory of Infrared Lasers, High Current Electronics Institute SB RAS, 2/3, Akademicheskii Ave., Tomsk, 634055, Russia) ,  Andreev Yury M. (Laboratory of Geosphere-Biosphere Interactions, Institute of Monitoring of Climatic and Ecological Systems SB RAS, 10/3 Akademicheskii Ave., Tomsk, 634055, Russia)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 721  ページ： 164-171  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子遷移の固有変化と非線形光学応用のための成長させたGaSe_S固溶体単結晶(x=0~0,0.133,および0.439)のバンドギャップは分光偏光解析法と第一原理計算を用いて系統的に調べた。五バンド間電子遷移E,1E,2E,3E4,及びE(5)を複素誘電関数の二誘導体を適合させることにより得られ,物理的起源を理論計算の助けを借りて説明した。バンド間電子遷移エネルギーE,2E,3E,4は0.439で0で3.457eV,3.736eV,4.810eVから青方偏移の傾向を示した3.786eV,4.628eV,5.086eVであったことが分かった。これは大きいSe原子はGaSe_Sにおける小さいS原子によって置換されるためである。GaSe_Sの実験的バンドギャップは,x=0~0.439で=0で2.081eV~1.908eVから増加した。,GaSe_Sのバンドギャップに及ぼすSドーピングの影響を検証するために,著者らは密度汎関数理論に基づく第一原理計算を行った。理論的結果もバンドギャップエネルギーはx=0~0.439,実験結果と良く一致したで=0で2.085eVから2.15eVにことを確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 計算 ,  青方偏移 ,  非線形光学 ,  *バンドギャップ ,  *セレン ,  固溶体 ,  *単結晶 ,  第一原理 ,  *光吸収 ,  密度汎関数法 ,  遷移エネルギー ,  *電子遷移
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  複素誘電関数 ,  第一原理計算 ,  *GaSe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電子遷移 ,  光学バンドギャップ ,  光学定数 ,  分光偏光解析法 ,  第一原理理論

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  塩  (CD01050V) ,  硫黄とその化合物  (YB02020L)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaSe ,  単結晶 ,  電子遷移 ,  バンドギャップ ,  光吸収 ,  ドーピング