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J-GLOBAL ID：201702241788813598   整理番号：17A1833516

遷移金属二カルコゲン化物における接触抵抗率への固有限界【Powered by NICT】

Intrinsic Limits to Contact Resistivity in Transition Metal Dichalcogenides

著者 (2件)： Mishra Varun (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Salahuddin Sayeef (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 12  ページ： 1755-1758  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元半導体であるスケールノードに重要であることを優れた静電的制御を提供する。しかし,それらの低い次元性のために,接触抵抗は,これらの材料に基づくデバイスの性能の制限因子である。本短報において,筆者らはそれらのバンド構造に基づく二次元半導体における接触抵抗に固有の限界を調べた。十分に大きなドーピング濃度のための,高性能トランジスタのための半導体ロードマップのための国際技術ロードマップで概説されたように接触抵抗が達成できることが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンド構造 ,  トランジスタ ,  半導体 ,  *接触抵抗 ,  二次元
準シソーラス用語： 技術ロードマップ ,  ロードマップ ,  *比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属二カルコゲン化物 ,  接触抵抗率 ,  固有 ,  限界