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J-GLOBAL ID：201702241852413237   整理番号：17A0664484

HVPE窒化ガリウムのex situ成長特性のためのドーピングマーカー層【Powered by NICT】

Doping marker layers for ex situ growth characterisation of HVPE gallium nitride

著者 (5件)： Hofmann Patrick (NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, D-01187 Dresden, Germany. [e-mail]) ,  Leibiger Gunnar ,  Krupinski Martin ,  Habel Frank ,  Mikolajick Thomas
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 5  ページ： 788-794  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究を用いて,水素化物気相エピタキシャル(HVPE)窒化ガリウム(GaN)の成長のex situキャラクタリゼーションのためのマーカー層を作成するためにいくつかの異なる方法を調べた。GaN結晶の電荷キャリア濃度の有意な変化を光学顕微鏡と走査電子顕微鏡(SEM)を用いて断面積研究におけるマーカー株として見えるようになる。パルス意図的けい素とゲルマニウムドーピングは,断面SEM顕微鏡写真と光学顕微鏡画像で良好な輝度コントラストをもたらす。SEMにおけるブラックコントラストとして現れた。パルスマンガンドーピングはSEMで明るいコントラストマーカー層,反対方向における電荷キャリア濃度の変動の結果であるが,材料のバックグラウンド不純物準位。マーカー層が採用されている成長パラメータのセットに対して3DとステップフローGaN成長モード間の温度転移点を決定した。温度の関数としてのcファセットの成長速度の開発の傾向が観測された。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 断面積 ,  輝度 ,  *窒化ガリウム ,  三次元 ,  パルス ,  エピタクシー ,  ファセット ,  コントラスト ,  光学顕微鏡 ,  成長速度 ,  不純物準位 ,  走査電子顕微鏡 ,  水素化物 ,  転移温度
準シソーラス用語： 電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (5件)： HVPE ,  窒化ガリウム ,  成長特性 ,  ドーピング ,  マーカー