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J-GLOBAL ID:201702241871287213   整理番号:17A0102511

GAAS光電陰極CS,0吸着研究【JST・京大機械翻訳】

Cs,O adsorption for forming GaAs photocathodes
著者 (8件):
資料名:
巻: 45  号:ページ: 0821000_01-0821000_05  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2521A  ISSN: 1007-2276  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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第一原理に基づく密度汎関数理論に基づく一般化勾配近似投影法を提案した。構造最適化に基づき,GAAS(110)表面上の0.5ML CS元素の単一吸着,0.5ML O元素および0.5ML CS,0.5ML O共吸着システムの特定の吸着サイト,吸着システムの全エネルギーおよび吸着システムの電子構造を,平板モデルを用いて計算した。吸着システムの計算結果と電子構造の比較により,以下のことを示した。CS,O元素の吸着量がGAAS(110)表面でΘ=1MLに達したとき,それらはそれぞれ表面に局所状の競争的化学吸着を形成するのではなく,表面に混合均Yun相の協同的共吸着を形成した。3つの吸着系の仕事関数は,それぞれ4.423EV,5.749EV,4.377EVであり,これらの結果は,GAAS光電陰極の調製過程における光電陰極の性能を向上させるための方法と機構を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件):
分類 (5件):
分類
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表面の電子構造  ,  吸着の電子論  ,  金属結晶の磁性  ,  電子放出一般  ,  金属の表面構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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