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J-GLOBAL ID:201702241903882777   整理番号:17A0699313

A-部位欠損(Bi_0 5Na_0)TiO_3ベース鉛フリー圧電セラミックの低ヒステリシスを伴う巨大歪【Powered by NICT】

Giant strain with low hysteresis in A-site-deficient (Bi0.5Na0.5)TiO3-based lead-free piezoceramics
著者 (17件):
資料名:
巻: 128  ページ: 337-344  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0316A  ISSN: 1359-6454  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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鉛フリー(1 x)(0.8Bi_0 5Na_0 5TiO_3 2Bi_0 5K_0 5TiO_3)-xSr_0 8Bi_0 1□0.1Ti_0 8Zr_0 2O_2 0.95圧電セラミック 0.06の低いヒステリシス(約36.2%)と巨大S max/E_max比(916pm V~ 1,S_maxとE maxは最大歪と対応する電場をそれぞれ)の巨大歪(0.72%)を報告した。巨大歪は印加電場下でエルゴードリラクサと強誘電状態間の可逆的転移に起因している。,意図的にシステムに導入,Aサイト空孔(V_A)と酸素空格子点(V_O)は,ランダムに分布した局所分極場を誘発した。局所場は成熟度の広い分布を持つことを胚分極ドメインを誘起し,強誘電状態とリラクサ状態の間の転移が消える。これは狭いヒステリシスループをもたらす。リラクサ強誘電転移に必要な分極場は有意に減少し,種として作用する零磁場で残留強誘電相と強誘電相の核形成と成長を促進する相乗的点欠陥に起因していた。著者らの研究は,巨大歪と実用的なアクチュエータ応用のための狭いヒステリシスと圧電材料を設計するための新しい経路を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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セラミック・磁器の性質  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性 
タイトルに関連する用語 (5件):
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