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J-GLOBAL ID：201702241912610543   整理番号：17A1115467

電気二重層により媒介された半導体における光放射を生成するための融通性があり,かつ簡単なアプローチ【Powered by NICT】

A Versatile and Simple Approach to Generate Light Emission in Semiconductors Mediated by Electric Double Layers

著者 (10件)： Pu Jiang (Department of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, 169-8555, Japan) ,  Pu Jiang (Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Fujimoto Taiyo (Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo, 169-8555, Japan) ,  Ohasi Yuki (Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo, 169-8555, Japan) ,  Kimura Shota (Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo, 169-8555, Japan) ,  Chen Chang-Hsiao (Department of Automatic Control Engineering, Feng Chia University, Taichung, 40724, Taiwan) ,  Li Lain-Jong (Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Sakanoue Tomo (Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Takenobu Taishi (Department of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, 169-8555, Japan) ,  Takenobu Taishi (Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 24  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光素子は,電流光源の主要な装置である。原理では,従来の発光素子はヘテロ構造および/または意図的なキャリアドーピングはp-n接合を形成する必要がある。接合形成は,最も新しい半導体の達成するために非常に困難であり,発光デバイスの作製は重要である挑戦。本研究では,発光素子を実現する汎用性のある簡単な方法を提案した。この提案したデバイスは,電解質で覆われていることを二電極のみ半導体膜を必要とする。このユニークな構造は,材料のバンドギャップエネルギーより僅かに大きい電圧で発光を達成した。新しい直接バンドギャップ半導体にこの概念を適用し,遷移金属二カルコゲン化物単分子層と酸化亜鉛単結晶のような。これらデバイスは明確な発光を発生させ,動的p-i-n接合またはトンネル接合の形成の十分な証拠を提供し,オプトエレクトロニクス素子を開発するために用途が広い技術を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単分子層 ,  トンネル接合 ,  *電気二重層 ,  電圧 ,  酸化亜鉛 ,  PN接合 ,  *半導体 ,  単結晶 ,  電解質
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  直接バンドギャップ ,  バンドギャップエネルギー ,  キャリアドーピング ,  ヘテロ構造 ,  発光素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電気二重層 ,  発光素子 ,  p-i-n接合 ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  酸化亜鉛

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気二重層 ,  光放射 ,  融通性