Pu Jiang について
Department of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, 169-8555, Japan について
Pu Jiang について
Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan について
Fujimoto Taiyo について
Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo, 169-8555, Japan について
Ohasi Yuki について
Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo, 169-8555, Japan について
Kimura Shota について
Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo, 169-8555, Japan について
Chen Chang-Hsiao について
Department of Automatic Control Engineering, Feng Chia University, Taichung, 40724, Taiwan について
Li Lain-Jong について
Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia について
Sakanoue Tomo について
Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan について
Takenobu Taishi について
Department of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, 169-8555, Japan について
Takenobu Taishi について
Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan について
Advanced Materials について
単分子層 について
トンネル接合 について
電気二重層 について
電圧 について
酸化亜鉛 について
PN接合 について
半導体 について
単結晶 について
電解質 について
光電子デバイス について
直接バンドギャップ について
バンドギャップエネルギー について
キャリアドーピング について
ヘテロ構造 について
発光素子 について
電気二重層 について
発光素子 について
p-i-n接合 について
遷移金属二カルコゲン化物 について
酸化亜鉛 について
発光素子 について
高分子固体の物理的性質 について
電気二重層 について
光放射 について
融通性 について