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J-GLOBAL ID：201702241929489654   整理番号：17A1174649

HfO_x抵抗メモリの抵抗スイッチング挙動に及ぼすゾル加齢の影響【Powered by NICT】

Effects of sol aging on resistive switching behaviors of HfO_x resistive memories

著者 (6件)： Hsu Chih-Chieh (Graduate School of Engineering Science and Technology, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu 64002, Taiwan, ROC) ,  Hsu Chih-Chieh (Department of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu 64002, Taiwan, ROC) ,  Hsu Chih-Chieh (Graduate School of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu 64002, Taiwan, ROC) ,  Sun Jhen-Kai (Graduate School of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu 64002, Taiwan, ROC) ,  Tsao Che-Chang (Graduate School of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu 64002, Taiwan, ROC) ,  Chen Yu-Ting (Graduate School of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu 64002, Taiwan, ROC)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 508  ページ： 98-103  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究ではゾル-ゲルHfO_x抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)に及ぼす長期ゾル時効時間の影響を調べた。エタノールの非毒性溶媒を毒性2-メトキシエタノールを置き換えるために使用するが,これは通常ゾル-ゲルプロセスで使用されている。上部電極がインジウムボールをHfO_x表面上よりもむしろ通常のスパッタリングまたは蒸着過程を用いて,作製した。最大プロセス温度は100°Cに制限されている。HfO_x膜に及ぼすプラズマと高温の影響を避けることができる。この状況下で,HfO_x膜へのゾルエージング時間の影響をより明確に調べることができる。HfO_x RRAMの低及び高電場領域における電流伝導機構はオーミック伝導とトラップ充填空間電荷制限伝導(TF SCLC)によって支配され,それぞれであることが分かった。ゾルエージング時間が増加すると,HfO_x層の抵抗スイッチング特性が不安定になるとTF SCLCへのオーミック伝導から遷移電圧も増加した。は非常に長い養生時間は,より多くの欠陥状態を持つHfO_x膜を与えるであろうことを示唆した。XPSの結果は,FTIR分析と一致し,それらはゾルエージングにより誘起された不安定HfO_x抵抗スイッチング特性を説明することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高温 ,  時効 ,  スパッタリング ,  電圧 ,  *ゲル ,  電流 ,  毒性 ,  エーテル ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  空間電荷制限伝導 ,  伝導機構 ,  ReRAM ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 半導体デバイス ,  電気特性 ,  薄膜 ,  溶液プロセス ,  加齢

分類 (1件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G)

物質索引 (2件)： 2-メトキシエタノール ,  エタノール

タイトルに関連する用語 (5件)： 抵抗メモリ ,  抵抗スイッチング ,  挙動 ,  ゾル ,  加齢