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J-GLOBAL ID：201702241930890163   整理番号：17A0907070

GaN(S)-NH_3(v)+N_2(v)+H_2(V)系の熱力学-GaN(0001)表面での過程の電子的側面【Powered by NICT】

Thermodynamics of GaN(s)-NH₃(v)+N₂(v)+H₂(v) system - Electronic aspects of the processes at GaN(0001) surface

著者 (5件)： Kempisty Pawel (Center for Integrated Research of Future Electronics (CIRFE), Institute of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS), Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Kempisty Pawel (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Strak Pawel (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Sakowski Konrad (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Krukowski Stanislaw (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 662  ページ： 12-33  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンモニア/水素混合物と平衡にあるGaN(0001)表面の包括的解析はab initio計算の結果を用いて行った。アンモニアと水素分子及びそれらの安定なサイトから誘導した種の吸着エネルギーが得られた。吸着プロセス型とエネルギーは表面でのFermi準位の位置に依存することを示した。水素は二つの分離したH原子に分解し,常に表面Ga原子(オントップ)の上部に位置に吸着した。GaN(0001)表面でのアンモニア吸着はオントップ位置または解離橋(NH_2橋)またはオントップ位置におけるNH_2ラジカルへまたはH3(NH H3)部位におけるNHラジカルへのアンモニアに分子的に進行した。これらの種の存在は,新しい表面状態の生成による表面でのFermi準位ピン止めに影響する。表面に付着した種濃度の関数としてFermi準位のピン止めは,拡張された電子計数則(EECR)を用いて決定した。ab initio計算の結果は,EECR予測の妥当性を証明した。分子水素とアンモニア蒸気混合物と平衡状態にある表面の熱力学的解析はNH_3とH被覆率のためのアンモニアと水素圧力の範囲を与え,NH H3とHとNH_3とHとNH_2橋とH被覆率に対するGa破れた結合状態でのFermi準位ピン止めに対応するとVBMで行った。Ga破れた結合状態でのFermi準位ピン止めの領域は非常に低い圧力に対応するとして,正常に近い圧力で,GaN(0001)表面は完全にオントップ位置に位置するH,NH_3とNH_2で覆われている。が水素とアンモニア圧力の主要な部分は,Fermi準位ピン止めに対応することを示した。それらの中で,これらの表面はオントップ位置におけるNH_3,NH_2とH種によって完全にカバーされほぼMOVPE成長したGaNおよびHVPE成長条件に対応した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ピン止め ,  Fermi準位 ,  *熱力学 ,  MOCVD ,  被覆率 ,  水素 ,  アンモニア ,  吸着エネルギー ,  *ガリウム ,  ラジカル ,  *窒化ガリウム ,  平衡状態 ,  吸着
準シソーラス用語： 水素分子 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ab initio ,  吸着 ,  窒化ガリウム ,  MOVPE ,  HVPE ,  極性表面

分類 (2件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  系 ,  熱力学 ,  過程 ,  電子