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J-GLOBAL ID:201702241931113330   整理番号:17A0794973

130nm SiGe BiCMOSによる28GHz高調波同調電力増幅器【Powered by NICT】

A 28-GHz Harmonic-Tuned Power Amplifier in 130-nm SiGe BiCMOS
著者 (2件):
資料名:
巻: 65  号:ページ: 522-535  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0229A  ISSN: 0018-9480  CODEN: IETMAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ミリ波高調波同調電力増幅器(PA)の設計方法論と測定結果を示した。PAは高ピーク電力付加効率(PAE)を達成するための最適な基本波と第二高調波終端を用いた。カスケード帯域通過フィルタとして実現または低域通過整合ネットワークで囲まれた出力ネットワークのための寄生承知設計技術を提案した。この方法はChebyshev帯域通過フィルタの二次高調波位相を操作する方法を示し,基本的で適切なインピーダンス整合を維持した。技術はSiGe BiCMOS,15dB利得,dBm飽和出力電力,15.5,dBmの出力1dB圧縮点,35.3%ピークPAEを達成するにおける28GHz PAに適用した。から1dB圧縮沖裏打ちされた場合,PAは, 33.7dBcの第三次相互変調生成物11.5%PAEを達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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増幅回路 
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