文献

J-GLOBAL ID：201702241991430885   整理番号：17A0389097

記録破りのZT=1.5を持つIn_xCo_4Sb_12の迅速調製:In過剰充填分率の限界とSb overstoichiometryの役割【Powered by NICT】

Rapid preparation of In_xCo₄Sb₁₂ with a record-breaking ZT = 1.5: the role of the In overfilling fraction limit and Sb overstoichiometry

著者 (5件)： Khovaylo V. V. (National University of Science and Technology “MISiS”, Moscow 119049, Russia. [e-mail]) ,  Korolkov T. A. ,  Voronin A. I. ,  Gorshenkov M. V. ,  Burkov A. T.
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 7  ページ： 3541-3546  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウム充填In_xCo_4Sb_12スクッテルダイトの試料は真空石英アンプルを使用しない従来の誘導溶解によって合成することに成功した。充填分率の限界(x≒ 0.22)より上でInの添加と誘導溶解In_xCo_4Sb_12インゴット中のSb過剰の調整は,焼結試料中の望ましくないCoSb_2相の形成を抑制し,主要なスクッテルダイト相の結晶粒界に沿ったナノメートルサイズ領域における析出したInSb不純物相の量を効果的に制御することができた。In含有量x=0~0.2,0.6,および1.0のIn_xCo_4Sb_12試料のSeebeck係数,電気伝導率および熱伝導率の測定は,熱伝導率の電気伝導率と減少の同時増加を明らかにした。これは725KにおけるIn_1Co_4Sb_12試料で達成した単一充填スクッテルダイトのメリットZT≒1.5の熱電性能指数の記録値をもたらすCopyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *インジウム ,  アンチモン化インジウム ,  石英 ,  熱伝導率 ,  インゴット ,  不純物 ,  アンプル ,  焼結 ,  溶解 ,  結晶粒界 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： 熱電性能指数 ,  充填スクッテルダイト型結晶 ,  Seebeck係数 ,  スクッテルダイト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 調製 ,  限界 ,  Sb ,  役割