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J-GLOBAL ID：201702242015166187   整理番号：17A1054669

Si量子ドットにおけるコヒーレント操作の谷相と電圧の制御

Valley Phase and Voltage Control of Coherent Manipulation in Si Quantum Dots

著者 (4件)： ZIMMERMAN Neil M. (National Inst. of Standards and Technol., Maryland, USA) ,  HUANG Peihao (National Inst. of Standards and Technol., Maryland, USA) ,  HUANG Peihao (Joint Quantum Inst., Univ. Maryland and National Inst. of Standards and Technol., Maryland, USA) ,  CULCER Dimitrie (Univ. New South Wales, Sydney, AUS)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 7  ページ： 4461-4465  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面粗さの,Δφおよび交換エネルギー分裂Jの,量子ビットゲート動作周波数に対する効果を研究した。バンドギャップを持つ半導体ドット表面の粗さにより,谷-軌道結合の位相はランダムな値をとる。このランダムな値は,二重量子ドットの交換分裂により大きな変化を起こす。そこで,任意の界面について相および交換分裂および一重項-三重項量子ビット周波数を計算するための方法を提案した。ゲート電圧を用いて量子ドットの位置を横方向に制御することにより,谷-軌道相と,個々の素子に対する交換分離の変動を制御できることを示した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *量子ドット ,  *コヒーレンス ,  *谷 ,  *電圧 ,  *表面粗さ ,  エネルギー ,  量子情報 ,  周波数 ,  バンドギャップ ,  半導体 ,  軌道 ,  位相 ,  *交換 ,  一重項 ,  三重項
準シソーラス用語： 交換エネルギー ,  量子ビット

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  量子ドット ,  コヒーレント