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J-GLOBAL ID:201702242105505390   整理番号:17A1350638

積層シリコン貫通ビア(TSV)に及ぼす電圧と確率依存PAM-4信号のためのアイダイアグラム推定法【Powered by NICT】

Eye-Diagram Estimation Methods for Voltage-and Probability-Dependent PAM-4 Signal on Stacked Through-Silicon Vias (TSVs)
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: ECTC  ページ: 1724-1731  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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積層スルーシリコンビア(TSVs)上の電圧及び確率依存性パルス振幅変調(PAM4)信号のためのアイダイアグラム推定法を提案した。高速・小形状因子への要求を満たすために,TSVの数とTSVのデータ速度が増加している。積層TSVの数がその電気的長さによる電気的性能に関連している。ノンリターンツー零(NRZ)はデータ速度に依存して遷移時間を持ち,NRZ高速チャネルのための高周波数成分を持っている。PAM4はNRZの代替として出現している,PAM4はNRZのそれよりも低い帯域幅を持つからである。しかし,PAM4は複数の論理状態に対して9dBの変換損失を有していた。,PAM4及びNRZ間の比較は,高速チャネルに必要であるべきである。PAM4の提案した推定法は,チャネルの単一ビット応答(SBR)を用いてアイダイアグラムを得ることができる。提案した方法は,アイダイアグラムのみならずデータ依存ジッタ(DDJ),ランダムジッタ(RJ),ビット誤り率(BER)解析を提供する。検証のために,推定されたアイダイアグラムとMATLABベースアイダイアグラムを比較した。アイダイアグラムはほぼ同じであるため,積層TSVにPAM4のための提案した方法を検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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