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J-GLOBAL ID：201702242155568961   整理番号：17A1503401

Fe_82Ga_4 5Al_13 5圧延シートにおけるGass結晶粒の異常成長を促進する強いNbC粒子ピン止め【Powered by NICT】

Strong NbC particle pinning for promoting abnormal growth of Goss grain in Fe₈₂Ga_4.5Al_13.5 rolled sheets

著者 (5件)： Liu Yangyang (State Key Laboratory of Advanced Metals and Materials, University of Science and Technology Beijing, 100083, China) ,  Li Jiheng (State Key Laboratory of Advanced Metals and Materials, University of Science and Technology Beijing, 100083, China) ,  Mu Xing (State Key Laboratory of Advanced Metals and Materials, University of Science and Technology Beijing, 100083, China) ,  Bao Xiaoqian (State Key Laboratory of Advanced Metals and Materials, University of Science and Technology Beijing, 100083, China) ,  Gao Xuexu (State Key Laboratory of Advanced Metals and Materials, University of Science and Technology Beijing, 100083, China)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 444  ページ： 364-370  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多数微細分散NbC析出物が650°Cで15分間900°Cで熱間圧延からなる圧延プロセス,500°Cで温間圧延と中間焼なましによるFe_82Ga_4 5Al_13 5シートで得られた。再結晶シート中の析出物の平均サイズは~45nmであった。最終シートにおける結晶粒成長は異常粒成長(AGG)の促進に及ぼす微細析出物の影響を研究した。0.5°C/min,1°C/分と2°C/分の連続プロセス中の加熱速度の試料で観察されたGoss結晶粒の完全に発達したAGG。対照的に,0.25°C/minと4°C/minの試料中のAGGは部分的に開発した。AGGの開発に及ぼす加熱速度の影響を連続昇温過程中の析出物と結晶粒配置の研究によって検討した。微細析出物を,鋭いGoss方位はAr雰囲気でアニールしたFe_82Ga_4 5Al_13 5シートを開発した。170ppmの最大飽和磁歪は,2°C/minの試料で得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *成長異常 ,  *ピン止め ,  焼なまし ,  *圧延 ,  加熱速度 ,  析出物 ,  磁歪 ,  再結晶 ,  *結晶粒 ,  昇温 ,  熱間圧延 ,  結晶成長
準シソーラス用語： Goss方位 ,  異常粒成長 ,  温間圧延 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Fe-Ga-Al合金 ,  磁歪 ,  粒子ピン止め ,  NbC析出物

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 圧延 ,  結晶粒 ,  異常成長 ,  促進 ,  ピン止め