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J-GLOBAL ID：201702242169057317   整理番号：17A0057878

SiC Schottkyダイオードパッケージにおけるアルミニウムワイヤボンドの電気熱機械的シミュレーション【Powered by NICT】

Electrical-thermo-mechanical Simulation for aluminum wire bonds in SiC Schottky diode packages

著者 (6件)： Bai Changqing (Key Lab. Optoelectronics Technol. of the Minisity of Education, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Fan Jiajie (Changzhou Institute of Technology Research for Solid State Lighting, Changzhou, China) ,  Qian Cheng (Changzhou Institute of Technology Research for Solid State Lighting, Changzhou, China) ,  Guo Weiling (Key Lab. Optoelectronics Technol. of the Minisity of Education, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Fan Xuejun (Changzhou Institute of Technology Research for Solid State Lighting, Changzhou, China) ,  Zhang Guoqi (Changzhou Institute of Technology Research for Solid State Lighting, Changzhou, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 11-15  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 伝統的なシリコン系半導体と比較して,広いバンドギャップ半導体(GaNとSiC)は,高い熱伝導率,より高い絶縁破壊電界強度,より高い動作温度とより低い電力損失のその利点を持つ高パワーエレクトロニクスに広く用いられている。SiCパワーダイオードパッケージ,Schottky障壁ダイオード(SBD),接合障壁Schottky(JBS)を含む,は通常SiCダイ機能チップとアルミニウムワイヤとしての相互接続として製造されている。アルミニウムワイヤは,通常,高温と高パワーサイクルの条件下で運転されているので,それらの疲れ損傷は,パッケージレベルで発生した大きな障害の一つと考えられている。相互接続間の熱膨張(CTE)係数の不整合のために,アルミニウムワイヤが多重電気熱機械的条件下で高い応力を受けた。この論文は,より高い電流の加速動作試験条件でSiC SBDパッケージのワイヤボンドの信頼性を評価した。またワイヤボンドの疲労損傷は,マルチフィジックス有限要素(FE)シミュレーション法を用いて予測した。詳細には,疲労寿命予測のための伝統的な歪に基づくCoffin-Mansonモデルと応力ベースBasquinの方程式にも提供される,歪および応力ベース3D有限要素シミュレーションモデルは,SiC SBDパッケージにおけるワイヤボンドの応力/歪密度分布をシミュレートするために選択した。最後に,ワイヤボンドの応力/歪密度分布に及ぼす高電流条件の影響をシミュレーション結果に基づいて解析した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Schottky障壁ダイオード ,  窒化ガリウム ,  ケイ素 ,  相互接続 ,  熱伝導率 ,  密度分布 ,  高温 ,  絶縁破壊 ,  *炭化ケイ素 ,  不整合 ,  パワーエレクトロニクス ,  電界強度 ,  三次元
準シソーラス用語： 有限要素シミュレーション ,  電力損失 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  Schottkyダイオード ,  パッケージ ,  シミュレーション