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J-GLOBAL ID:201702242216607221   整理番号:17A0315228

低電場下での分極と時効処理したMnドープPb(Mn_1/3Sb_2/3)O_3Pb(Zr,Ti)O_3強誘電セラミックの大歪【Powered by NICT】

Large strain in poled and aged Mn-doped Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3 ferroelectric ceramics under a low electric field
著者 (8件):
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巻: 42  号: 12  ページ: 13339-13342  発行年: 2016年09月 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高齢者アクセプタをドープした強誘電体セラミックにおける可逆分域スイッチングはドメインの等しくない結晶軸の交換による電歪を達成するための強力な方法である。それにもかかわらず,以前の研究は,非分極セラミックで可逆分域スイッチングを介して得られた歪は理論値よりはるかに低いことを示唆した。本論文では,駆動電場である分極方向,よりドメインのnonequel結晶軸の交換に由来するに垂直な場合分極及び高齢者アクセプタをドープした強誘電体セラミックにおける歪は有意に増強されることを示した。,分極と0.1wt%MnO_2~をドープした0.05Pb(Mn_1/3Sb_2/3)O_3 0.50PbZrO_3 0.45PbTiO_3の電歪は0.225%であった15kVcm~ 1の低電場下での非分極試料のそれより4.17倍に達した。さらに,対応する正規化歪33日*は1500PMV~ 1強誘電セラミックで報告された値を遥かに超えていた。著者らの研究は,時効したアクセプタをドープした強誘電セラミックの可逆分域スイッチングによる電歪挙動を強化する一般的な効果的な方法を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  絶縁材料  ,  圧電気,焦電気,エレクトレット 

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