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J-GLOBAL ID：201702242314858319   整理番号：17A1164656

混合ハロゲン化物及び単結晶ペロブスカイトの電子的及び化学的構造に及ぼす白色光照明の影響【Powered by NICT】

Impact of White Light Illumination on the Electronic and Chemical Structures of Mixed Halide and Single Crystal Perovskites

著者 (10件)： Zu Feng-Shuo (Institut fuer Physik and IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, 12489, Berlin, Germany) ,  Amsalem Patrick (Institut fuer Physik and IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, 12489, Berlin, Germany) ,  Salzmann Ingo (Institut fuer Physik and IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, 12489, Berlin, Germany) ,  Wang Rong-Bin (Institut fuer Physik and IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, 12489, Berlin, Germany) ,  Wang Rong-Bin (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, Jiangsu, 215123, P. R. China) ,  Ralaiarisoa Maryline (Institut fuer Physik and IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, 12489, Berlin, Germany) ,  Kowarik Stefan (Institut fuer Physik and IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, 12489, Berlin, Germany) ,  Duhm Steffen (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, Jiangsu, 215123, P. R. China) ,  Koch Norbert (Institut fuer Physik and IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, 12489, Berlin, Germany) ,  Koch Norbert (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, 12489, Berlin, Germany)
資料名： Advanced Optical Materials  (Advanced Optical Materials)
巻： 5  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201700139  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2486A  ISSN： 2195-1071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,光電子分光法と吸収分光法を用いた混合ハロゲン化物ペロブスカイト(CH_3NH_3PbI_3-xCl_x)薄膜とCH_3NH_3PbI_3単結晶の電子的及び化学的性質に及ぼす白色光照射の影響を調べた。元の材料の表面はドナー準位の存在に起因する表面バンドの曲がりのために,n型であり,表面トラップとして作用する還元鉛(Pb~0)から成ると思われることが分かった。白色光(最大1太陽)で試料を照射すると,価電子特徴を,表面光起電力に起因してより低い結合エネルギー側にシフトし,すなわち,材料のバルクはそれほどn型であった。しかし,表面光起電力は部分的にのみ可逆的であり,長時間光照射時間の消失。付随して,高濃度金属Pb~0のが見出され,これは表面光起電力の強いFermi準位ピン止めと消光を誘導する。PbI_2欠陥の形成が伴っている。単結晶の同様の実験は,切断後の試料表面で還元型(金属)Pb~0の高濃度の存在を明らかにした。今回の結果は,ペロブスカイト膜の化学的および電子的性質は白色光照射に非常に敏感であることを示す。これら光誘起材料変化の説明は,その光物理的性質及びペロブスカイトベースデバイスの寿命を改善するためのを完全に理解するために重要である。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 価電子 ,  光照射 ,  光電子分光法 ,  還元 ,  *単結晶 ,  結合エネルギー ,  吸光分光分析 ,  Fermi準位 ,  *白色光 ,  薄膜 ,  ピン止め
準シソーラス用語： 光物理的性質 ,  表面光起電力 ,  ドナー準位 ,  *混合ハロゲン化物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CH3NH3PbI3単結晶 ,  混合ハロゲン化物ペロブスカイト(CH3NH3PbI3 xClx)膜 ,  表面バンド曲がり ,  X線および紫外光電子分光法

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 混合ハロゲン化物 ,  単結晶 ,  ペロブスカイト ,  電子 ,  化学 ,  白色光 ,  照明