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J-GLOBAL ID：201702242317569019   整理番号：17A1423841

NiOセラミックの電気的性質の変化におけるNaドーピング誘起酸素空格子点の役割【Powered by NICT】

Role of Na-doping-induced oxygen vacancies in the variation of electrical properties of NiO ceramics

著者 (7件)： Yang Seojin (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Kim Jiwoong (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Song Sehwan (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Lee Dooyong (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Ju Tae-Seong (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Bae Jong-Seong (Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan 46742, Republic of Korea) ,  Park Sungkyun (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, Republic of Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 15  ページ： 11898-11901  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiOセラミックのNaドーピング濃度依存性電気的および構造的特性を調べた。Na_xNi_1xO(x=0.00,0.01,0.03,0.05,0.07,0.09,0.11)の種々の試料を通常の固相反応を用いて調製した。試料の大部分はNaドーピング濃度の増加と共に減少した電気抵抗率を示した純粋な面心立方(fcc)構造,Naの11%を含む試料の場合を除いてを維持した。Naの11%を含む試料では,電気抵抗率は二次相の存在のためにわずかに増加した。この減少した電気抵抗率の物理的起源は,酸素空格子点の数の増加に関連しており,純粋なNa_xNi_1xOセラミックのNaドーピング濃度の増加であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナトリウム ,  構造特性 ,  固相反応 ,  *セラミック ,  電気抵抗率 ,  *電気的性質 ,  濃度依存性 ,  第二相
準シソーラス用語： *酸素空格子点 ,  *ドーピング【薬】 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Na_xNi_1xO ,  ドーパント ,  Resistivity ,  酸素空格子点

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (7件)： セラミック ,  電気的性質 ,  Na ,  ドーピング ,  誘起 ,  酸素空格子点 ,  役割