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J-GLOBAL ID：201702242337016426   整理番号：17A1181586

結晶SiドープGe_2Sb_2Te_5の第一原理研究【Powered by NICT】

First principles study of crystal Si-doped Ge₂Sb₂Te₅

著者 (7件)： Yan Beibei (School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Yang Fei (School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Chen Tian (School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Wang Minglei (School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Chang Hong (School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Ke Daoming (School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Dai Yuehua (School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, China)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 252  ページ： 6-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge_2Sb_2Te_5(GST)と六方晶構造を有するSiドープGSTは第一原理calcucationsにより調べた。は多くの種類のドーピングタイプを行い,種々のSi濃度のSiドープGSTの電子特性を研究した。理論計算はSi原子がSb原子(Si_Sb)を置換した時最低の形成エネルギーが出現したことを示した。Si濃度10%から30%への増加と共に,不純物状態はFermi準位近傍に生じ,Si_Sb構造のバンドギャップは広がった。一方,ドーピング濃度が20%に維持されるときドーピングスーパーセルが最も好ましい構造を持っている。SiドープGSTはFermi準位価電子帯に向かって移動するとより明確に,p型金属特性を示した。Te p,d軌道電子はTe s軌道のそれよりも電子特性に大きな影響を持っている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 六方晶系 ,  不純物準位 ,  *結晶 ,  価電子バンド ,  *ケイ素 ,  Fermi準位 ,  *ドーピング ,  金属性 ,  バンドギャップ ,  *第一原理
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  理論計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GST ,  第一原理 ,  Siドーピング ,  ドーピング濃度

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶Si ,  ドープ ,  第一原理 ,  研究