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J-GLOBAL ID：201702242338201821   整理番号：17A0995989

dioxyphenylcoumarin置換シクロトリホスファゼン化合物フォトダイオードの設計と製作【Powered by NICT】

Design and fabrication of dioxyphenylcoumarin substituted cyclotriphosphazene compounds photodiodes

著者 (11件)： Elgazzar Elsayed (Department of Physics, Faculty of Science, Suez Canal University, Ismailia, Egypt) ,  Dere A. (Department of Physics, Faculty of Science, Firat University, Elazig, Turkey) ,  OEzen Furkan (Department of Chemistry, Faculty of Science, Firat University, Elazig, Turkey) ,  Koran Kenan (Department of Chemistry, Faculty of Science, Firat University, Elazig, Turkey) ,  Al-Sehemi Abdullah G. (Department of Chemistry, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha 61413, Saudi Arabia) ,  Al-Sehemi Abdullah G. (Research Center for Advanced Materials Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha 61413, Saudi Arabia) ,  Al-Sehemi Abdullah G. (Unit of Science and Technology, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha 61413, Saudi Arabia) ,  Al-Ghamdi Ahmed A. (Department of Physics, Faculty of Science, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Orhan Gorguelue Ahmet (Department of Chemistry, Faculty of Science, Firat University, Elazig, Turkey) ,  El-Tantawy F. (Department of Physics, Faculty of Science, Suez Canal University, Ismailia, Egypt) ,  Yakuphanoglu F. (Department of Physics, Faculty of Science, Firat University, Elazig, Turkey)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 515  ページ： 8-17  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,フォトダイオード応用としてdioxyphenylcoumarinで置換されたシクロトリホスファゼン化合物を紹介した。7,8-ジヒドロキシ-3-(3-メチルフェニル)クマリン(1b)は従来型に加えて,マイクロ波支援方法によって得られた。モノおよび二置換dioxyphenylcoumarin軸受シクロトリホスファゼン化合物(HCP-2とHCP-4)の両方のための新しいオプトエレクトロニクス素子特性は,化合物1bを有するシクロトリホスファゼンを含むジオキシビフェニル(HCP-1およびHCP,3)の反応から合成した。化合物HCP1 4の構造を,元素分析,~1H,~13C APT,~31P NMR及び2D HETCOR NMRおよびFT-IR分光法を用いて同定した。Al/HCP 2/p-Si/AlとAl/HCP 4/-Si/Alダイオード特性を電流-電圧(I V)と容量-電圧(C V)測定から調べた。理想因子n,直列抵抗Rsなどの調製したダイオードの電気的パラメータを暗中と(I V)曲線とNord法から室温で調べた。わかるように,高い整流比RRと理想因子をもつAl/HCP 2/p-Si/Alダイオードは1より大きかった。ダイオードに及ぼす光照射の影響はこのデバイスが良好な効率を持つフォトダイオードとして用いることができることを示した。障壁高さφbと直列抵抗Rsは10kHzから1MHzまでの種々の印加周波数の下で容量-電圧(C V)及びコンダクタンス-電圧(G V)測定から計算した。I-VおよびC-V計算から得られた障壁高さの結果の大きな違いは,電荷キャリアとフォトダイオード性能の輸送に及ぼす直列抵抗と局在状態の影響を確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光照射 ,  *フォトダイオード ,  コンダクタンス ,  電流 ,  マイクロ波 ,  *ダイオード ,  NMR【磁気共鳴】 ,  周波数 ,  電圧
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  印加電圧 ,  障壁高さ ,  整流比 ,  直列抵抗 ,  理想因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： フォトダイオードセンサシクロトリホスファゼン ,  ジオキシクマリン-ホスファゼン

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 置換 ,  シクロトリホスファゼン ,  フォトダイオード ,  設計 ,  製作