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J-GLOBAL ID：201702242421847128   整理番号：17A2008544

Cu(111)基板上の高品質AlNエピタキシャル膜の成長のための界面反応の制御【Powered by NICT】

Control of interfacial reactions for the growth of high-quality AlN epitaxial films on Cu(111) substrates

著者 (8件)： Wang Wenliang (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zheng Yulin ,  Li Yuan ,  Li Xiaochan ,  Huang Liegen ,  Li Zhuoran ,  Lu Zhenya ,  Li Guoqiang
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 48  ページ： 7307-7315  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルAlNエピタキシャル膜とCu基板の間の界面反応を効果的に制御することによるパルスレーザ蒸着(PLD)によるCu(111)基板上に成長させた高品質AlNエピタキシャル膜。成長させたままのAlN/Cuヘテロ界面とその形成機構の界面特性を系統的に研究した。厚さ2.1nmのCu_xAl_1xN界面層は600°Cの高い成長温度でAlN/Cuヘテロ構造中に形成される,界面層をもつ突然の鋭いAlN/Cuヘテロ界面は450°Cの低い成長温度で界面反応を効果的に制御することによって達成されていない。450°Cで成長させた成長したままの~300nm厚AlNエピタキシャル膜は二乗平均平方根表面粗さ1.2nm,0.7°と0.8°のAlN(0002)及びAlN(10 12)に対するX線ロッキング曲線の半値全幅を持つ高い結晶品質と非常に滑らかな表面を示した。一方,成長直後のAlNエピタキシャル膜の残留応力も0.30GPaの残留圧縮応力と低温成長により制御されている。これらの高品質AlNエピタキシャル膜は,高性能AlNベースのオプトエレクトロニックデバイスの商業的開発に非常に重要である。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 残留応力 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *エピタクシー ,  *銅 ,  FWHM ,  ロッキングカーブ ,  *窒化アルミニウム
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  ヘテロ構造 ,  成長温度 ,  界面層 ,  ヘテロ界面 ,  *界面反応 ,  *エピタキシャル膜 ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  高品質 ,  AlN ,  エピタキシャル膜 ,  成長 ,  界面反応