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J-GLOBAL ID：201702242496154567   整理番号：17A0617216

太陽電池用の,ゾルゲル法で生成したCdSバッファー層における自然欠陥

Native defects in sol-gel derived CdS buffer layers for photovoltaic applications

著者 (3件)： MEHER S. R. (VIT Univ., Vellore, IND) ,  KAUSHIK Deepak K. (Indian Inst. of Technol., Chennai, IND) ,  SUBRAHMANYAM A. (Indian Inst. of Technol., Chennai, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 8  ページ： 6033-6046  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カルコゲニド太陽電池のバッファー層に適用できる可能性のあるナノ結晶体CdS薄膜を,ゾルゲル浸漬被覆法で調製した。X線回折とRaman分光で結晶構造を観測し,光学的吸収データでアニーリング後のバンドギャップ値を推定し,Kelvinプローブ法で表面仕事関数を求め,また,カルコゲニド太陽電池で再結合中心となるCdSの自然欠陥を,低温フォトルミネッセンス分光で分析した。573K,623K,673Kでアニールした薄膜は,ミッドギャップCd空孔に対応する近赤外発光を示した。しかしながら,723Kでアニールした薄膜ではこのような深い準位の正孔トラップはごくわずかで,また強い励起子発光も存在し,この薄膜の良好な結晶品質を保証していた。ミッドギャップCdアクセプター密度がCu(In,Ga)Se₂ (CIGS)/CdS太陽電池の性能に与える影響を,数値シミュレーションで調べた。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *ゾル-ゲル法 ,  *硫化カドミウム ,  *バッファ層 ,  ナノ結晶 ,  *半導体薄膜 ,  浸漬塗装 ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  六方晶系 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *再結合中心 ,  深い準位 ,  キャリア捕獲 ,  数値解析 ,  シミュレーション ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  光ルミネセンス ,  接触電位差 ,  プローブ ,  電流密度 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 正孔捕獲 ,  表面形態 ,  Kelvinプローブ

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽電池 ,  ゾルゲル法 ,  CdS ,  バッファー層 ,  欠陥