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J-GLOBAL ID：201702242545805895   整理番号：17A1250429

クロスバーアレイメモリのためのNbO_xベースセレクタデバイスに及ぼすγ線照射の総電離線量効果【Powered by NICT】

Total Ionizing Dose Effects of Gamma-Ray Radiation on NbO_x-Based Selector Devices for Crossbar Array Memory

著者 (3件)： Gao Ligang (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Holbert Keith E. (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Yu Shimeng (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 6  ページ： 1535-1539  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属酸化物NbO_2は高密度クロスバーアレイアーキテクチャのための抵抗ランダムアクセスメモリと統合される有望なセレクタデバイスと考えられている。その総イオン化線量(TID)応答は放射線環境におけるこのセレクタデバイスを使用することの信頼性を評価する助けとなるであろう。本論文では,電気的特性化とX線光電子分光法(XPS)を用いてPt/NbO_x/Ptセレクタデバイスに及ぼすガンマ線(γ線)照射のTID効果を調べた。NbO_xデバイスは~60Coγ線線で照射した5Mrad(NbO_2)の最大量にした。実験結果はしきい値スイッチング挙動を,スイッチングパラメータの有意な変化なしに5Mrad(NbO_2)に耐えることができることを示した。XPSの結果は,NbO_x薄膜におけるNbO_2とNb_2O_5相混合であることを明らかにした。5Mrad(NbO_2)γ線照射後,NbO_2のピーク強度は増加し,Nb_2O_5のピーク強度は,XPSスペクトル,おそらく照射下でNb_2O_5の減少に起因して減少した。それにもかかわらず,NbO_xベースセレクタの電気的性質は5Mrad後(NbO_2)γ線照射,航空宇宙応用におけるNbO_xベースセレクタデバイスの使用の可能性を示すに留まっている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  *γ線照射 ,  *γ線 ,  スペクトル ,  信頼性 ,  スイッチング ,  イオン化 ,  電気的性質 ,  薄膜 ,  *放射線量
準シソーラス用語： ピーク強度 ,  ReRAM ,  高密度 ,  遷移金属酸化物 ,  *総電離線量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (2件)： γ線 ,  総電離線量