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J-GLOBAL ID：201702242559979897   整理番号：17A1251548

欠陥超伝導フォトニック結晶における一方向吸収の解析【Powered by NICT】

Analysis of Unidirectional Absorption in a Defective Superconducting Photonic Crystal

著者 (5件)： Chang Tsung-Wen (Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, Chang Gung University, Tao-Yuan, Taiwan) ,  Huang Chih-Hsi (Institute of Electro-Optical Science and Technology, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Hou Da Jun (Institute of Electro-Optical Science and Technology, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Wu Chien-Jang (Institute of Electro-Optical Science and Technology, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Chen De-Xin (Department of Applied Physics, National Pingtung University, Pingtung, Taiwan)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 9  号： 4  ページ： ROMBUNNO.5900509.1-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有限一次元欠陥超伝導フォトニック結晶におけるテラヘルツ一方向共鳴吸収を理論的に調べた。非対称フォトニック結晶(AB)~ND(BA)~Mを考察し,Aは誘電体であるが,Bは超伝導体である,Dは誘電欠陥であり,N,Mは,スタック数であった。N/Ne Mでは,構造の共鳴吸収は,一方向性特性を示すことが分かった。一方向共鳴吸収点は,NとM増加間の差として増加した。も入射角の関数としての一方向特性を調べた。結果は,一方向吸収は入射の与えられた角度で偏光に依存しないことを示した。提案した構造は,超伝導フォトニクスに使用される技術的である偏光に依存しない光学素子を設計するために使用できる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光学素子 ,  誘電体 ,  テラヘルツ波 ,  超伝導体 ,  *超伝導 ,  偏光 ,  共鳴吸収 ,  *フォトニック結晶 ,  非対称性 ,  入射角 ,  一次元
準シソーラス用語： フォトニクス ,  一方向性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： パターン認識  (JE07000S) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 欠陥 ,  超伝導 ,  フォトニック結晶 ,  解析