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J-GLOBAL ID：201702242560384277   整理番号：17A1246122

薄膜トランジスタのための島状AZO/Al_2O_3二分子層チャネル構造【Powered by NICT】

Island-Like AZO/Al₂O₃ Bilayer Channel Structure for Thin Film Transistors

著者 (12件)： Zeng Yong (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Ning Honglong (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Zheng Zeke (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Zhang Hongke (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Fang Zhiqiang (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Yao Rihui (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Xu Miao (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Wang Lei (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Lan Linfeng (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Peng Junbiao (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Lu Xubing (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Zheng Yanqiong (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai, 200072, China)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 4  号： 15  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)は,その低コストおよび非毒性のために薄膜トランジスタ(TFT)用の潜在的且つ有望な材料と考えられている。一般,AZOの高伝導率は半導体としてのTFTに使用する前に減少適切にすべきである。AZOの電気伝導率を低減するための伝統的方法は,アルミニウム(>5at%)のドーピング量を増やすことである。それぞれAZO島膜と薄いAl_2O_3フィルム「電子供与体」と「電子橋」として働くから成る二分子層チャネル構造を合理的な設計による導電性AZOを変換半導体へと報告されている新しいアプローチ。島状AZO/Al_2O_3チャネル材料を用いたTFTは8.04cm~2V~ 1s~ 1の飽和移動度,オン/オフ電流1.6×10~7,及びサブしきい値スイング0.83V dec~ 1を示した。さらに,得られたTFTの優れた電気的性質の下地となる機構は,AZO/Al_2O_3TFTの電子伝導はキャリア濃度の効果的な制御に起因するパーコレーション伝導によって支配されることが証明されたことである。本報で提案したこの方法は,TFTのための半導体層への導電性酸化物膜の変換を明らかにした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化亜鉛 ,  半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  キャリア密度 ,  導電性 ,  電気伝導率 ,  *二分子層 ,  パーコレーション ,  移動度 ,  アルミニウム ,  *チャネル ,  酸化膜
準シソーラス用語： 電子伝導 ,  サブ閾値スイング ,  電子供与体 ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： アゾ島状膜 ,  二層チャネル構造 ,  電子橋 ,  酸化物薄膜トランジスタ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜トランジスタ ,  島 ,  Azo ,  二分子層