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J-GLOBAL ID:201702242581936748   整理番号:17A1170733

偏光はGaAs_1 xBi_x/GaAs量子井戸における光ルミネセンス分解【Powered by NICT】

Polarization resolved photoluminescence in GaAs1-xBix/GaAs quantum wells
著者 (9件):
資料名:
巻: 182  ページ: 49-52  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0731A  ISSN: 0022-2313  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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低温(T<14K)で15Tまでの高磁場下での直線偏光レーザ励起を用いた希薄範囲(x<2%)における異なるBi濃度GaAs_1 xBi_x/GaAs量子井戸(QW)の偏光分解光ルミネセンス(PL)を調べた。GaAs_1 xBi_x/GaAs量子井戸のスピン分極と励起子g因子は,Bi濃度の増加と共に増加することが分かった。4と10の励起子g_ex因子は1.2%と1.9%Bi濃度を持つ成長させたままGaAs_1 xBi_x/GaAs量子井戸の15Tでそれぞれ得られた。これらの値はGaAs中のBiの導入による電子及び正孔g因子の重要な増加を証明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (5件):
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半導体のルミネセンス  ,  励起子  ,  分子の電子構造  ,  無機化合物一般及び元素  ,  塩 
タイトルに関連する用語 (5件):
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