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J-GLOBAL ID:201702242628716155   整理番号:17A0605137

半導体基板を用いた高性能ヒータの作製と特性評価

The fabrication and characterization of the high-performance heater using the semiconductor substrate
著者 (1件):
資料名:
号: 51  ページ: 15-18  発行年: 2017年01月31日 
JST資料番号: F0721B  ISSN: 2432-5961  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本論文は,高品質の薄膜形成を行う目的で,半導体の抵抗率温度変化を利用した薄型ヒータを考案し,設計,作成を行い,特性評価を実施した。これを現有のRFマグネトロンスパッタ装置へ実装することを想定し,小型で約800°Cの温度追従性を有する装置用ヒータを実現した。発熱体として,シリコン基板を用い,加熱面の絶縁向上の為に,石英薄膜をスパッタ堆積した。実験は,200°Cまでベース加熱後,温度コントローラから電流を供給し,昇温し,シリコン表面温度を熱電対で測定,概ね良好な結果を得た。給電は,プログラムで制御し,突入電流を抑制した。
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分類 (2件):
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加熱  ,  薄膜成長技術・装置 
タイトルに関連する用語 (5件):
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