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J-GLOBAL ID：201702242677892980   整理番号：17A1248147

場と温度はAl Lu_2O_3Al金属-絶縁体-金属ダイオードの電流-電圧特性の依存性【Powered by NICT】

Field and temperature dependent current-voltage characteristics of Al-Lu₂O₃-Al metal-insulator-metal diodes

著者 (5件)： Akbar Shahnaz (Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan 60800, Pakistan) ,  Mahmood Khalid (Department of Physics, Government College University Faisalabad, 38100, Pakistan) ,  Wasiq M.F. (Department of Physics, Quaid-i-Azam University, Islamabad, Pakistan) ,  Nadeem M.Y. (Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan 60800, Pakistan) ,  Khan Muhammad Azhar (Department of Physics, The Islamia University of Bahawalpur, Bahawalpur 63100, Pakistan)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 520  ページ： 112-115  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高温,高磁場電流-電圧(I V)特性を用いたAl Lu_2O_3Al金属-絶縁体-金属(MIM)構造の電荷輸送特性を調べた。対称電極配置における,MIM構造を,電子ビーム蒸着によりガラス基板上に作製した。MIM構造における支配的な電荷輸送機構を調べるために試験した種々の伝導機構。温度範囲323~403Kにおける温度依存I-Vデータが,低および高電場領域で動作する少なくとも二つの異なる輸送機構が示唆された。低電場ではSchottky放出機構の存在を確認し測定温度の種々の値でLnI対V~1/2の一直線上グラフ。種々の温度での誘電定数の計算値Lu_2O_3の実験的誘電率とよく一致することが分かった。高電場領域でLn(I/V)対V~1/2グラフの間の線形関係は,Poole-Frenkel(PF)放出は高磁場領域における支配的な機構であると思われた。Arrheniusプロット,Schottky放出と活性化エネルギーグラフもAl Lu_2O_3Al構造の支配的な伝導機構に調べるためにプロットした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： MIM構造 ,  *絶縁体 ,  誘電率 ,  電子ビーム蒸着 ,  高温 ,  活性化エネルギー ,  温度依存性 ,  強磁場 ,  *電流 ,  *電圧 ,  電場
準シソーラス用語： Arrheniusプロット ,  高電場 ,  伝導機構 ,  電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Lu_2O_3 ,  Al ,  MIM ,  I-V測定 ,  Schottky放出 ,  Poole Frankel放出

分類 (4件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 場 ,  Al ,  絶縁体 ,  ダイオード ,  電圧特性 ,  依存性