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J-GLOBAL ID：201702242736817985   整理番号：17A1548553

BNT-BT無鉛セラミックスにおける室温反強誘電体相安定性【Powered by NICT】

Room temperature antiferroelectric-phase stability in BNT-BT lead-free ceramics

著者 (4件)： Guerra J.D.S. (Grupo de Ferroeletricos e Materiais Multifuncionais, Instituto de Fisica, Universidade Federal de Uberlandia, 38408-100 Uberlandia, MG, Brazil) ,  Pelaiz-Barranco A. (Facultad de Fisica-Instituto de Ciencia y Tecnologia de Materiales, Universidad de La Habana, San Lazaro y L, Vedado, La Habana 10400, Cuba) ,  Calderon-Pinar F. (Facultad de Fisica-Instituto de Ciencia y Tecnologia de Materiales, Universidad de La Habana, San Lazaro y L, Vedado, La Habana 10400, Cuba) ,  Mendez-Gonzalez Y. (Facultad de Fisica-Instituto de Ciencia y Tecnologia de Materiales, Universidad de La Habana, San Lazaro y L, Vedado, La Habana 10400, Cuba)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 525  ページ： 114-118  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では電気分極(ヒステリシスループ)の電場依存性は,(Bi_0 0.500Na_0 0.500)0.920Ba_0 0.065La_0 0.010TiO_3セラミック系における周波数の関数として調べた。以前に現在の文献で報告されていない結果は,真の分域スイッチングを得るために必要な,電場の大きさは印加電場の周波数に強く依存することを明らかにした。,X線回折とRietveld精密化により調べ,構造特性は室温で反強誘電(AFE)と強誘電性(FE)相の両方の共存を示し,AFE相の主要な寄与を確認した。分極の電場依存性のAFE相の強い寄与も評価し,より高い周波数であっても,保磁力の非冪乗則依存性を検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *相安定性 ,  構造特性 ,  周波数 ,  誘電分極 ,  強誘電性 ,  分域 ,  *セラミック ,  X線回折 ,  *反強誘電体 ,  精密化 ,  保磁力 ,  電場
準シソーラス用語： べき乗則 ,  電場依存性 ,  ヒステリシスループ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： A反強誘電体 ,  B鉛フリーセラミック ,  D偏光スイッチング

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： BNT ,  BT ,  セラミックス ,  室温 ,  反強誘電体 ,  相安定性