文献

J-GLOBAL ID：201702242745315527   整理番号：17A0939120

ドープしたMXeneのバンドギャップ修飾Sc_2CF_2【Powered by NICT】

Band gap modification in doped MXene: Sc₂CF₂

著者 (3件)： Balci Erdem (Department of Physics, Gebze Technical University, Gebze, Kocaeli 41400, Turkey. [e-mail]) ,  Akkus UEnal OEzden ,  Berber Savas
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 24  ページ： 5956-5961  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si,Ge,Sn,F,S,N,BおよびB+によるC原子置換によるSc_2CF_2MXene単分子層におけるバンドギャップの改質について報告する。構造最適化,全エネルギーと電子構造計算を,密度汎関数理論で行った。Si,Ge,Sn,B,及びNドープSc_2CF_2単分子層は0.55eVから0.24eVの範囲のバンドギャップ値となる半導体であることを見出した。このようにして,いくつかの異なるバンドギャップ値を得ることができた。半導体から金属への転移はF,S,およびNをドープした単分子層と同様にC単一空格子点で観察された。Bドープした系では,欠陥バンドの1/2充填に起因するスピン分極が観測された。全エネルギー計算の結果,F,N,S,およびB+NによるMXene単分子層の置換型ドーピングは有利であり,Si,Ge,Snのエネルギーペナルティは手ごわいでないことを示す。一方,Sc_2CF_2単分子層の前駆体,バルクSc_2AlC MAX相中の置換は全ての置換基の発熱性である。Sc_2CF_2MXene単分子層中のC置換は電子特性を調整するための強力な実行可能なツールである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 構造最適化 ,  半導体 ,  *ドーピング ,  前駆体 ,  全エネルギー ,  スピン分極 ,  *バンドギャップ ,  エネルギー計算 ,  単分子層 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 置換基 ,  電子構造計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  MXene ,  バンドギャップ ,  修飾