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J-GLOBAL ID：201702242857062526   整理番号：17A1607831

層状Bi₂S₃の圧力誘起トポロジー相転移【Powered by NICT】

Pressure induced topological phase transition in layered Bi₂S₃

著者 (9件)： Yang Ming (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR, 2 Fusionopolis Way, Singapore 138634, Singapore) ,  Luo Yong Zheng ,  Zeng Ming Gang ,  Shen Lei ,  Lu Yun Hao ,  Zhou Jun ,  Wang Shi Jie ,  Sou Iam Keong ,  Feng Yuan Ping
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 43  ページ： 29372-29380  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きなバルクバンドギャップと可変同調Diracキャリアはトポロジカル絶縁体の実際の素子用途で望まれている。しかし,最も知られているトポロジカル絶縁体は狭いギャップ材料であり,それらのDirac表面状態の操作は,固有欠陥から生じた残留バルク電荷キャリアによって制限される。本研究では,密度汎関数理論に基づく第一原理計算により,著者らはBi_2S_3の層状六方晶構造は安定であり,それは約5.3GPaの中程度の圧縮圧力下のトポロジカル絶縁体になることを予測した。興味あることに,Bi_2S_3におけるスピン-軌道相互作用の強さは加えられた圧力により効果的に増強できることを見出した。は圧力と共に増加した反転バンドギャップ,13.7GPaの圧力で0.4eVに到達することが出来る。Bi_2Se_3と比較して,固有欠陥はカチオンとアニオンの両生育不良条件下でBi_2S_3における抑制された。我々の計算は,新しいBi系トポロジカル絶縁体を予測し,またBi_2S_3におけるスピン-軌道相互作用の制御とその位相的性質の同調を明らかにした。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *層状組織 ,  位相幾何学 ,  絶縁体 ,  *バンドギャップ ,  六方晶系 ,  結晶構造 ,  安定性 ,  圧力 ,  スピン-軌道相互作用 ,  強度 ,  圧力効果 ,  格子欠陥 ,  フェルミオン ,  表面構造 ,  操作 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *硫化ビスマス ,  *圧力誘起相転移 ,  トポロジー ,  応用 ,  第一原理計算 ,  密度汎関数理論 ,  圧縮力 ,  相互作用力 ,  圧力依存性 ,  *トポロジー制御 ,  *トポロジー絶縁体 ,  比較研究 ,  セレン化ビスマス ,  Dirac粒子 ,  トポロジー表面状態 ,  電荷キャリア

分類 (5件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  固相転移  (BL04020G) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 層状 ,  誘起 ,  トポロジー ,  相転移