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J-GLOBAL ID：201702242860362651   整理番号：17A1345171

新しい縦型誘電体変調TFETベースバイオセンサの性能評価【Powered by NICT】

Performance Assessment of A Novel Vertical Dielectrically Modulated TFET-Based Biosensor

著者 (5件)： Verma Madhulika (Electronics and Communication Engineering Department, Nanoelectronics and VLSI Laboratory, Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, India) ,  Tirkey Sukeshni (Electronics and Communication Engineering Department, Nanoelectronics and VLSI Laboratory, Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, India) ,  Yadav Shivendra (Electronics and Communication Engineering Department, Nanoelectronics and VLSI Laboratory, Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, India) ,  Sharma Dheeraj (Electronics and Communication Engineering Department, Nanoelectronics and VLSI Laboratory, Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, India) ,  Yadav Dharmendra Singh (Electronics and Communication Engineering Department, Nanoelectronics and VLSI Laboratory, Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing, Jabalpur, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 9  ページ： 3841-3848  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無標識バイオセンサとしての垂直誘電変調トンネル電界効果トランジスタ(V DMTFET)を本論文で初めて検討し,アンダーラップ概念とゲート仕事関数エンジニアリングを用いた横方向DMTFET(L DMTFET)と比較した。横方向バイオセンサ(LB)の性能を改善するために,高濃度にドープされたフロントゲートn~+ポケットとゲート対ソースオーバーラップは,垂直バイオセンサ(VB)に導入した。VBにおける横方向トンネルと同様に垂直トンネルの総合効果はオン状態電流を増強し,サブしきい値スイングを減少させる。これらのデバイスの検出能力を評価するために,荷電と荷電中性生体分子はナノギャップ共振器単独で固定化した。深く解析することにより,誘電率(k),電荷密度(ρ),Geのx組成,t_cavityの%体積充填,長さおよびn~+ポケットの厚さの変化の影響を示すために行い,電気的パラメータの感度も組み込んだ。二重ポケット(フロントおよびバックゲートポケット)VBを表形式でLBとVBと比較した。誘電体変調電界効果トランジスタ,L DMTFET,V DMTFETの雑音特性も評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *性能評価 ,  ゲルマニウム ,  *バイオセンサ ,  FET【トランジスタ】 ,  ドーピング ,  *誘電体 ,  誘電率 ,  電流 ,  電荷 ,  仕事関数
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  ナノギャップ ,  生体分子 ,  サブ閾値スイング ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 縦型 ,  誘電体 ,  変調 ,  TFET ,  バイオセンサ ,  性能評価