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J-GLOBAL ID：201702242902940357   整理番号：17A1993591

硫化鉛量子ドット光起電素子における小数キャリア輸送

Minority Carrier Transport in Lead Sulfide Quantum Dot Photovoltaics

著者 (4件)： REKEMEYER Paul H. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  CHUANG Chia-Hao M. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  BAWENDI Moungi G. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  GRADECAK Silvija (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 10  ページ： 6221-6227  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化鉛量子ドット(PbS QD)の高いパワー変換効率は太陽光発電(PV)応用に魅力的である。実際のPbS QD PV素子では光吸収長が少数キャリア拡散長を超え,効率は拡散輸送により制限され,その改善には素子レベルにおける少数キャリアの輸送の理解が欠かせない。ここでは電子線誘起電流(EBIC)顕微鏡法において,電子線とキャリアの相互作用体積を統計的に扱い,少数キャリア拡散長を定量化する手法を開発し,PbS QD PV素子断面に適用した。電子線エネルギーを変えて実効的な拡散長の低エネルギーへの外挿から,テトラブチルアンモニウムヨウ化物(TBAI)処理PbS QD膜における正孔の拡散長の下限110nmを与えた。エタンジチオール(EDT)処理QD層とp-n接合を形成するTBAI-PbS QD層では正孔は少数キャリアであり,一方,n型ZnO膜とのヘテロ接合ではより弱いn⁺-n接合を形成することを示した。定量的な低エネルギーEBICは,ナノスケールの拡散長を有する他の薄膜PV材料に適用可能である。

シソーラス用語： *量子ドット ,  硫化鉛 ,  *薄膜 ,  *拡散距離 ,  *少数キャリア ,  電子線誘起電流 ,  ヘテロ接合 ,  太陽電池 ,  光起電素子 ,  効率
準シソーラス用語： EBIC ,  バルクヘテロ接合 ,  パワー変換効率

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

物質索引 (2件)： 1,2-エタンジチオール ,  テトラブチルアンモニウム・ヨージド

タイトルに関連する用語 (4件)： 硫化鉛 ,  量子ドット ,  光起電素子 ,  キャリア輸送