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J-GLOBAL ID：201702242981003793   整理番号：17A0412126

平衡理論による二重逆流圧力スイング吸着装置の最適設計:圧力スイングのための重質ガスを用いたプロセス配置【Powered by NICT】

Optimal design of dual-reflux pressure swing adsorption units via equilibrium theory: Process configurations employing heavy gas for pressure swing

著者 (4件)： Bhatt Tushar S. (Vrije Universiteit Brussel, Department of Chemical Engineering, Pleinlaan 2, 1050 Brussels, Belgium) ,  Storti Giuseppe (ETH Zuerich, Department of Chemistry and Applied Biosciences, Vladimir-Prelog-Weg 1, HCI F 125, 8093 Zuerich, Switzerland) ,  Denayer Joeri F.M. (Vrije Universiteit Brussel, Department of Chemical Engineering, Pleinlaan 2, 1050 Brussels, Belgium) ,  Rota Renato (Politecnico di Milano, Chemistry, Materials and Chemical Engineering Department “Giulio Natta”, Via Mancinelli 7, 20131 Milan, Italy)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 311  ページ： 385-406  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重還流圧力スイング吸着プロセスは二元供給ガス混合物を分離する二純粋種に完全にできる。二成分ガス混合物を供給される層の圧力と圧力スイングに利用されるガスの種類は,さまざまなプロセスサイクル構成をもたらし,DR-PSAの以前の研究の大部分は二サイクル構成:圧力スイングのための重質ガスを採用し,高いまたは低い圧力で操作された床への供給を提供するに限定されている。しかし,比較評価,これら二プロセスサイクル構成の最適運転圧力比は確立されていない。以前そのようなDR-PSAサイクル構成の最適設計戦略(三角形運転領域,内部に,二成分ガス混合物の完全分離が達成できるを同定した)を報告した。本研究では,著者らは他のDR-PSAサイクル構成の最適設計戦略を報告する:重質ガスを用いた低圧層と圧力スイングに摂食した。以前の文献に関しては,この特定の循環過程の一定と非定常圧力段階特性曲線と衝撃遷移の包括的追跡に基づく平衡理論を三角操作領域の明確な制約,設計パラメータ値と境界条件を明らかにした。,設計パラメータ(純光逆流供給速度への最適供給注入位置および比率)および新しい選択基準に及ぼすプロセス変数(吸着剤選択性,供給ガス組成,作動圧力比)の影響の詳細な比較評価は,(i)適切なサイクル構成の選択を促進し,(ii)低作動圧力比範囲に最適高を同定するためにこれらのサイクル構成の両方について考察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： プロセス変数 ,  特性曲線 ,  混合気体 ,  境界条件 ,  *PSA【吸着】 ,  吸着剤 ,  2サイクル ,  *吸着 ,  *最適設計 ,  選択基準 ,  低圧 ,  *逆流
準シソーラス用語： 設計変数 ,  圧力比 ,  比較評価 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 圧力スイング吸着 ,  二重逆流 ,  PSA設計 ,  ガス分離 ,  平衡理論 ,  環状吸着プロセス

分類 (1件)： 吸着,イオン交換  (XD02060I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 逆流 ,  圧力スイング吸着装置 ,  最適設計 ,  圧力スイング ,  質 ,  プロセス