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J-GLOBAL ID：201702243135129570   整理番号：17A0468003

CdCl₂の存在下での熱処理時のCdTe薄膜の組成改善

Improvement of composition of CdTe thin films during heat treatment in the presence of CdCl₂

著者 (8件)： DHARMADASA I. M. (Sheffield Hallam Univ., Sheffield, GBR) ,  ECHENDU O. K. (Federal Univ. Technol., Owerri, NGA) ,  FAUZI F. (Sheffield Hallam Univ., Sheffield, GBR) ,  ABDUL-MANAF N. A. (Sheffield Hallam Univ., Sheffield, GBR) ,  OLUSOLA O. I. (Sheffield Hallam Univ., Sheffield, GBR) ,  SALIM H. I. (Sheffield Hallam Univ., Sheffield, GBR) ,  MADUGU M. L. (Sheffield Hallam Univ., Sheffield, GBR) ,  OJO A. A. (Sheffield Hallam Univ., Sheffield, GBR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 3  ページ： 2343-2352  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdCl₂処理はCdS/CdTe太陽電池を開発する場合の重要なステップである。本文では,このCdCl₂処理時の三つのCdTe層,すなわちCdSO₄,Cd(NO₃)₂,CdCl₂の三つの前駆体から電気めっきした三つの異なるCdTe材料層の組成改善について,X線回折(XRD)およびRaman分光法を用いて実験的証拠を示した。また,SEM結果を用いて,本ステップ時の再結晶化および結晶粒成長も調べた。その結果,CdCl₂の存在下での熱処理はCdTe層が正規組成になるように堆積層内のTeを取り除く傾向があることが分かった。また,~85°Cの低い温度で成長させた材料層の形態はCdCl₂処理後に劇的に変化し,高温成長法で成長させた他のCdTE層と比べて,~(20-60)nmの粒径の小さな結晶粒は数ミクロンまで増加した。

シソーラス用語： テルル化カドミウム ,  *太陽電池 ,  組成 ,  塩化カドミウム ,  熱処理 ,  光電気化学電池 ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  走査電子顕微鏡 ,  前駆体
準シソーラス用語： CdTe ,  SEM【顕微鏡】 ,  XRD ,  化合物太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： CdCl2 ,  熱処理 ,  CdTe ,  薄膜 ,  組成