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J-GLOBAL ID：201702243141915664   整理番号：17A1834294

シリコンフォトニクスにおける漏れ損失【Powered by NICT】

Leakage loss in silicon photonics

著者 (4件)： Sun Nai-Hsiang (Department of Electrical Engineering, I-Shou University, Kaohsiung 840, Taiwan, R.O.C.) ,  Tsai Qieng-Hsiung (Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung University of Applied Sciences, Kaohsiung 80778, Taiwan) ,  Shih Tien-Tsomg (Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung University of Applied Sciences, Kaohsiung 80778, Taiwan) ,  Chiang Po-Jul (Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung University of Applied Sciences, Kaohsiung 80778, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO-PR  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上シリコンウエハ上に作製したシリコンwayeguidesは本質的に漏れた。この事実は最先端の電子デバイスを集積したシリコンフォトニック構造における絶縁体厚さの下限を置く。受動シリコン導波路に結合したm V半導体利得媒質を用いた漏洩損失のための有限利得補償の角度からこの制約を調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  導波路 ,  半導体 ,  利得補償 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 利得媒質 ,  フォトニック構造 ,  電子素子 ,  シリコンウエハ ,  *漏れ損失 ,  *シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコンフォトニクス ,  漏れ損失