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J-GLOBAL ID：201702243166071707   整理番号：17A1355032

p-GaNへのNi/AuおよびPd/Au Ohmの比較【Powered by NICT】

Comparison of Ni/Au and Pd/Au ohmic contacts to p-GaN

著者 (5件)： Sasada M. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, 910-8507, Japan) ,  Sasakura A. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, 910-8507, Japan) ,  Takashima N. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, 910-8507, Japan) ,  Tokuda H. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, 910-8507, Japan) ,  Kuzuhara M. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, 910-8507, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMFEDK  ページ： 96-97  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-GaNへのNi/AuおよびPd/Au Ohm接触の比較研究を述べた。Ohm特性に及ぼすアニーリング温度とアクセプタ濃度の影響を調べた。両方のOhm接触は,600°Cのアニーリング後に4×10~ 3Ωcm~2以下の接触抵抗を示すことが分かった。さらに,アニーリング無しでもPd/Auで観察されたかなり良好なオーミック挙動。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アクセプタ ,  Ohm接触 ,  *窒化ガリウム ,  焼なまし ,  接触抵抗
準シソーラス用語： アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  Ni ,  Au ,  Pd