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J-GLOBAL ID:201702243184555820   整理番号:17A0962948

高磁場下における電気化学的イオン空孔生成とその高機能触媒作製への応用

著者 (8件):
資料名:
巻: 2016  ページ: 147-148  発行年: 2017年06月 
JST資料番号: X0986A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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高磁場によりイオン空孔濃度の制御が可能なサイクロトロンMHD電極(CMHDE)を用いて,水素イオンと水素分子の代わりにイオン空孔とナノバブルを用いることにより,水素混入のない銅微粒子の作製を試みた。水素発生反応とは無関係に銅デンドライト生成に成功した。CMHDEを用いた新しいデンドライト生成法におけるイオン空孔の役割について報告した。イオン空孔が水素イオン同様に特異吸着イオンとして振舞うことが明らかになった。
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分類 (1件):
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触媒の調製 

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