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J-GLOBAL ID：201702243220014004   整理番号：17A0697186

チップと平面SiC基板との間の極端な近接場熱放射のための有限双極子モデル【Powered by NICT】

Finite dipole model for extreme near-field thermal radiation between a tip and planar SiC substrate

著者 (2件)： Jarzembski Amun (Department of Mechanical Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT 84112, USA) ,  Park Keunhan (Department of Mechanical Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT 84112, USA)
資料名： Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer  (Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer)
巻： 191  ページ： 67-74  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0072A  ISSN： 0022-4073  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の実験的研究は,SiC基板のための先端散乱近接場熱放射の赤外(IR)スペクトルを測定し,表面フォノンポラリトン(SPhP)共鳴ピークの50cm 1赤方偏移まで観察した。しかし,観察されたスペクトル赤方偏移は,点双極子近似に基づく従来の近接場熱放射モデルでは説明できない。本研究では,加熱されたチップは偏長回転楕円体の主軸に沿って整列したランダムに変動する点電荷(または変動有限双極子)としてモデル化し,準静的チップ-基板電荷相互作用は有効分極率を定式化し,自己相互作用Green関数と考えられている。ゆらぎ電気力学と組み合わせた有限双極子モデル(FDM)は,極端近接場における先端面熱放射の計算(すなわち,H/R≦1,Hはチップ-基板ギャップ距離であり,Rは先端半径),点双極子近似を用いて計算したできないを可能にした。FDMは実験で観測された先端散乱近接場熱放射のスペクトル赤方偏移に対する基礎となる物理学を提供する。添加では,ギャップ距離は,極端近接場領域に減少すると近接場熱放射スペクトルにおけるSPhPピークが二ピークに分裂する可能性がある。この観察は散乱型分光測定は先端面極近接場熱放射の全スペクトル特徴を伝えないかも知れないことを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 赤方偏移 ,  *双極子 ,  スペクトル ,  スペクトロスコピー ,  *モデル ,  ゆらぎ ,  モデリング ,  共鳴 ,  *近接場 ,  回転楕円体 ,  電気力学 ,  *熱放射 ,  Green関数 ,  散乱 ,  相互作用

著者キーワード (5件)： 近接場熱放射 ,  熱赤外近接場分光法 ,  有限双極子モデル ,  チップ-試料相互作用 ,  表面フォノンポラリトン

分類 (1件)： 放射伝達,放射変調  (BD03080P)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC基板 ,  近接場 ,  熱放射 ,  双極子 ,  モデル