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J-GLOBAL ID:201702243374548040   整理番号:17A0890897

量子ドットにおける励起子ルミネセンスの温度挙動と機構【Powered by NICT】

The temperature behavior and mechanism of exciton luminescence in quantum dots
著者 (2件):
資料名:
巻: 19  号: 28  ページ: 18721-18730  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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シリカ薄膜マトリックス中に埋込んだ量子ドット(QD)における空間的に閉じ込められた励起子の直接,および間接光励起過程を報告し,議論した。様々な励起方法を用いた発光温度挙動の詳細な説明のために,電子遷移の一般化スキームを採用した。このスキームから,三重項励起子緩和の3つの異なるモデルを考慮し,一重項-三重項の項間交差,またはマトリックスの自由励起子からの励起エネルギー移動の結果として三重項放射状態の占有を立証した。5種類の異なる温度曲線を記述した解析式を導出した。それらの形状は,励起メカニズム,および数値モデルに関与するパラメータによって正確に定義されることを確立した。QD光ルミネセンスのエネルギー,および運動特性の推定を可能にする条件を定式化した。著者らは,閉じ込め効果が,非放射遷移に対する熱活性障壁および周波数特性の低下を引き起こすことを示した。開発した概念の応用により,例としてシリカ薄膜クラスタ中のシリコンナノクラスタを用いる直接,および間接的に光学的に励起されたQDルミネセンスの温度依存性を予測及び推定することを可能にした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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半導体のルミネセンス  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
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