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J-GLOBAL ID:201702243388941366   整理番号:17A0551724

制御された組成プロファイルを有するFe-Si多層の成長へのアプローチ-結合された薄膜を交換する方法

An approach to growth of Fe-Si multilayers with controlled composition profile-a way to exchange coupled thin films
著者 (16件):
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巻: 28  号: 11  ページ: 115303,1-9  発行年: 2017年03月17日 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ここ数十年の間に,シリコン表面上の薄い鉄およびFeシリサイド膜の成長プロセスおよび特性を調べることに,多くの注意が払われてきた。本研究では,界面拡散インターミキシングを利用して,所望の原子濃度プロファイルを有する層を作成する見通しを検討した。いくつかの高分解能法による交互FeおよびSi層の混合の研究により,非均質な化合物の形成が明らかになった。これらの層では,化学量論が横方向および深さの両方で変化することが実証された。3層システム(Feリッチ層/Siリッチスペーサー/Feリッチ層)における界面層交換結合(IEC)は,スペーサーが成長する方法に依存することが示された。厚さ0.7nmのFeと厚さ1nmのSi層との交互混合は不完全であり,成分の堆積の順序に依存した。制御可能な組成プロファイルを有するFe-Si多層は,厚さ約0.2-0.3nmで交互にFeおよびa-Si層を堆積させることで成長できることが示された。
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属薄膜  ,  固体中の拡散一般 

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