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J-GLOBAL ID：201702243430266032   整理番号：17A1254689

28nmにおける集積化に適した新しいeNVM細胞の実現可能性の実証【Powered by NICT】

Feasibility demonstration of new e-NVM cells suitable for integration at 28nm

著者 (3件)： Kalem S. (Informatics & Information Security Research Center, TUBITAK-BILGEM, Gebze, Kocaeli, Turkey) ,  Tekin S.B. (Informatics & Information Security Research Center, TUBITAK-BILGEM, Gebze, Kocaeli, Turkey) ,  Roelofs R. (ASM, Kapeldreef 75, Leuven 3001, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 53-56  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 28nmとそれ以降のためのメモリセル選択と新しいeNVM技術への統合は,原子層堆積(A LD)HfO_2抵抗メモリデバイスによって調べた。非晶質と結晶両HfO_2層は有望なスイッチング特性を示した。非晶質層を用いて作製したメモリ素子の活性化に必要である3倍以上少ない電力ことが示された。メモリセルの両方の成形電圧は層厚さ50nmのと比較して10Vより大きかった。代替可能性抵抗メモリ要素として,n型とp型Siウエハ上に形成したSiOx層は興味ある形成特徴を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非晶質 ,  電力 ,  *記憶素子 ,  結晶 ,  電圧 ,  記憶装置
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  抵抗メモリ ,  スイッチング特性 ,  二層 ,  ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 集積化 ,  細胞 ,  実現可能性 ,  実証